功率MOS管有N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強型和耗盡型兩種，凡柵極-源極電壓為零時漏極電流也為零的管子，均屬于增強型管；凡凡柵極-源極電壓為零時漏極電流不為零的管子，均屬于耗盡型管。電路中常用增強型MOS管，其工作原理：當柵極-源極電壓變化時，將改變襯底靠近絕緣層處感應電荷的多少，從而操控漏極電流的大小。
根據三極管的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓操控型器件
概念：
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓操控型半導體器件。
特點：
具有輸入電阻高（108~109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
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