功率MOS管在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率 功率MOS管的漏極額定耐壓并進入擊穿區而以致破壞的模式會引發雪崩破壞。
器件發熱損壞
由超出安全區域引發發熱而以致的。發熱的原由分為直流功率和瞬態功率兩種。
直流功率原由：外加直流功率而以致的耗損引發的發熱
直流功率原由：外加直流功率而以致的耗損引發的發熱
導通電阻RDS(on)耗損（高溫時RDS(on)增大，以致一定電流下，功耗增加）
由漏電流IDSS引發的耗損（和其他耗損相比極?。?/span>
瞬態功率原由：外加單觸發脈沖
負載短路
開關耗損（接通、斷開） *（與溫度和工作頻率是相關的）
內置二極管的trr耗損（上下橋臂短路耗損）（與溫度和工作頻率是相關的）
器件正常運行時不發生的負載短路等引發的過電流，造成瞬時局部發熱而以致破壞。另外，由于熱量不相配或開關頻率太高使芯片不能正常散熱時，持續的發熱使溫度超出溝道溫度以致熱擊穿的破壞。
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