雪崩電流在功率MOS管的數據表中表示為IAV，雪崩能量代表功率MOS管抗過壓沖擊的能力。在調試過程中，選取一定的電感值，然后將電流增大，也就是功率MOS管開通的時間增加，然后關斷，直到功率MOSFET損壞，對應的*大電流值就是*大的雪崩電流。 標稱的IAV通常要將前面的調試值做70%或80%降額處理，所以它是一個可以保證的參數。一些功率MOS管供應商會對這個參數在生產線上做100%全部檢測，由于有降額，所以不會損壞器件。
留意：測量雪崩能量時，功率MOS管運作在UIS非鉗位開關狀態下，所以功率MOSFET不是運作在放大區，而是運作在可變電阻區和截止區。所以*大的雪崩電流IAV通常小于*大的連續的漏極電流值ID。
采用的電感值越大，雪崩電流值越小，但雪崩能量越大，生產線上需要調試時間越長，生產率越低。電感值太小，雪崩能量越小。目前低壓的功率MOS管通常取0.1mH，此時，雪崩電流相對于*大的連續的漏極電流值ID有明顯的改變，而且調試時間比較合適范圍。
尊敬的客戶：
您好，我司是一支技術力量雄厚的高素質的開發群體，為廣大用戶提供高品質產品、完整的解決方案和上等的技術服務公司。主要產品有
LCD驅動電路 等。本企業堅持以誠信立業、以品質守業、以進取興業的宗旨，以更堅定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動化行業作出貢獻，歡迎新老顧客放心選購自己心儀的產品。我們將竭誠為您服務！